La Generalitat ha formalizado este lunes la creación del patronato de la Fundació InnoFAB, una entidad sin ánimo de lucro adscrita a la Conselleria de Investigación y Universidades, cuya misión será poner en marcha la nueva infraestructura destinada al prototipado de semiconductores avanzados en Catalunya.
Según ha detallado el Govern en un comunicado, el proyecto contempla una inversión cercana a los 400 millones de euros y se levantará en el Parc de l'Alba de Barcelona, junto al Sincrotró. La iniciativa pretende impulsar la generación de talento, emprendedores y 'start-ups' de alta tecnología, así como el crecimiento de pequeñas y medianas empresas vinculadas al ámbito de las micro y nanotecnologías.
El patronato está formado por los consellers de Presidencia, Albert Dalmau; de Economía y Finanzas, Alícia Romero; de Empresa y Trabajo, Miquel Sàmper, y de Investigación y Universidades, Núria Montserrat.
La estructura de gobernanza se organizará en torno a una comisión ejecutiva integrada por cinco patrones nombrados por el patronato, a la que se sumarán las figuras responsables de la dirección y la gerencia. Asimismo, se constituirá un consejo asesor compuesto por investigadores de reconocido prestigio y competencia.
Una “pieza clave” para el ecosistema de innovación
InnoFAB aspira a consolidarse como una “pieza clave” del sistema catalán de conocimiento, al configurarse como el primer centro de desarrollo y prototipado de micro y nanotecnologías basadas en semiconductores avanzados en Catalunya. El proyecto técnico ha sido liderado hasta ahora por el ICN2 y prevé una inversión de alrededor de 400 millones de euros, con financiación europea a través de los fondos NextGenerationEU.
El futuro centro contará con una sala blanca de 2.000 metros cuadrados destinada a la fabricación de prototipos y pequeñas series de semiconductores avanzados, que tendrán aplicaciones en sectores estratégicos como la electrónica, la salud o la energía. El complejo se completará con otros tres edificios: el FAB, un inmueble de oficinas y laboratorios y un edificio auxiliar de servicios, que en conjunto sumarán una superficie construida de cerca de 22.000 metros cuadrados.
El Govern precisa que la actividad de InnoFAB se centrará principalmente en Catalunya, aunque sus colaboraciones y su impacto se proyectarán a escala estatal, europea e internacional. El objetivo es abarcar todo el proceso 'Lab-to-Fab' y facilitar que las innovaciones generadas en los laboratorios se transformen en productos industriales.
Además, se estima que el centro creará 200 empleos directos y se consolide como un actor de referencia en el ámbito de los semiconductores. InnoFAB se integra en el Trident Innovador previsto en el Pla Catalunya Lidera, con el propósito de reforzar el posicionamiento de Catalunya como referente europeo en innovación tecnológica e industrial, con especial atención al sector de los semiconductores.